第一章 常用半導體器件
自 測 題
一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。
。1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。( )
。2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。( )
(3)PN結在無光照、無外加電壓時,結電流為零。( )
(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。( )
。5)結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點。( )
。6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。( )
解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、選擇正確答案填入空內。
。1)PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將 。
A. 變窄B. 基本不變C. 變寬
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