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模擬電子技術基礎第四版華成英課后習題答案


時間: 2015-8-27 分類: 作業(yè)習題  【來自ip: 14.154.198.184 的 熱心網友 咨詢】 手機版
 問題補充 如上
  網友答案:
熱心網友
熱心網友
1樓
第一章  常用半導體器件
   自  測  題
   一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。
  。1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(  )
  。2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。(  )
   (3)PN結在無光照、無外加電壓時,結電流為零。(  )
   (4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。(  )
  。5)結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點。(  )
  。6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。(  )
   解:(1)√  (2)×  (3)√  (4)×  (5)√  (6)×
   二、選擇正確答案填入空內。
  。1)PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將    。
   A. 變窄B. 基本不變C. 變寬


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