電子排布式：
①簡化電子排布式
為了避免電子排布式書寫過于繁瑣，把內層電子達到稀有氣體元素原子結構的部分以相應稀有氣體的冗素符號外加方括號表示，即為簡化電子排布式，如K 的簡化電子排布式為
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有個別元素的基態(tài)原子的電子排布對于構造原理有1個電子的反常。因為能量相同的原子軌道在全充滿(
)、半充滿(
)和全空(
)狀態(tài)時，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定。
(2)電子排布圖：用方框表示一個原子軌道，用箭頭“↑”或“↓”來區(qū)別自旋狀態(tài)不同的電子。
構造原理:
多電子原子的核外電子排布總是按照能量最低原理，由低能級逐步填充到高能級。絕大多數(shù)元素的原子核外電子的排布遵循下圖所示的排布順序，這種排布順序被稱為構造原理。
點撥:構造原理中的排布順序，其實質是各能級的能量高低順序，可由下列公式得出ns<(n一2)f< (n一1)d<np(n表示能層序數(shù))。常用的重要的能級交錯順序有：
核外電子排布式一構造原理的應用：
根據(jù)構造原理，按照能級順序，用能級符號右上角的數(shù)字表示該能級上電子數(shù)的式子，叫做電子排布式。例如，
